エッジ・コンピューティングを加速するクアルコムのIoTプラットフォーム戦略

IoTを加速させるSnapdragon 385

〔1〕世界初！ 30億個のトランジスタを集積

　Snapdragon 835は、表1に示すように、サムスン電子の10nm FinFET（フィンフェット）という、超微細な10nm（10ナノメータ）の製造プロセス^注7と立体構造化によって、世界初の30億個のトランジスタを集積することに成功した。

〔2〕Snapdragon 835の代表的な要素と集積されている回路例

　Snapdragon 835に集積された30億個のトランジスタには、前出の図1に示す多彩な各種の機能（要素）が搭載されたSoCとなっている。例えば、図1に示すSnapdragon 835の代表的な要素の機能例として、

1. 4G/LTE：Qualcomm Snapdragon X16 LTEモデム
   〔下り：最大1Gbps （LTEカテゴリ16）、上り：最大150Mbps （LTEカテゴリ13）〕
2. Wi-Fi：IEEE 802.11a/b/g/n〜IEEE 802.11ac（最大：867Mbps）
   〔使用周波数帯：2.4 GHz、5 GHz 、60 GHz〕
3. ビデオ処理：画像コーデック：H.264（AVC）、H.265（HEVC)
4. ディスプレイ処理：4K超高精細画面（HD：High Definition）

などの多彩な回路が、30億個のトランジスタ中に集積され組み込まれている^注8。

　このような高機能をもつSnapdragon 835は、ハイエンド向けスマートフォンとして、すでにサムスン電子の「Galaxy S」シリーズの2017年モデル「Galaxy S8」と「Galaxy S8+ (Plus)」を皮切りに、2017年夏モデル機種（Android 7.1搭載）として、NTTドコモからソニーモバイルコミュニケーションズ製「Xperia XZ Premium SO-04J」、KDDI auからシャープ製「AQUOS R SHV39」、ソフトバンク：シャープ製「AQUOS R」などに搭載され、発売されている。

SnapdragonでIoTを加速させる体制

　クアルコムでは、今後、IoT市場に新規参入する、IoTデバイス（スマートデバイス）開発の経験のない企業が、多種多様な製品開発を容易に行えるように、製品開発のサポート体制を提供している^注9。

　具体的には、図2に示すような体制である。特にリファレンス・デザインは、IoT製品開発を行ううえで具体的に参照（リファレンス）できる設計図のようなものであり、短期的に製品を開発し商用化するうえで重要な要素となっている。

　すでに、表2に示すように、クアルコムのプラットフォームによるウェアラブルからIPカメラ、ドローン、VR開発キット〔最新のSnapdragon 835（APQ8098）を使用〕など、個別のIoTデバイスに対応した25種類以上のリファレンス・デザイン・プラットフォームが提供されている。

▼ 注7
製造プロセス：半導体の製造工程のことで、製造する半導体回路を作成する際の線幅を指す。半導体の回路線幅が微細であるほど（細いほど）半導体チップの集積度を向上でき、小型化や速度の向上が実現しやすくなる。製造プロセスは、半導体の性能レベルの目安の1つとなっている。
10nmとは、人間の髪の毛の太さ（直径約70μm＝70,000nm）の7,000分の1という驚異的な細さの線幅となる。原子の大きさは0.1nmである（nm：ナノメートルは10億分の1メートル）。

▼ 注8
詳細参照

▼ 注9
モバイル業界においては、開発力があるため、Snapdragonチップセット（モデム）のみを提供し、そのメーカーが独自に機器を開発し発売する仕組みとなっている。